新增年产30万片IGBT功率器件芯片扩产项目(厦门士兰集科微电子有限公司) 大型
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项目概况
工程地区 | 福建省-厦门市-海沧区 | 项目类型 | 其他公共建筑 |
| 项目阶段 | 立项 | 建设性质 | 改扩建 |
| 甲方类型 | -- | 外资类型 | -- |
| 层高 | -- | 建设周期 | 2023年1季度 - 2024年4季度 |
| 投资金额（万元） | 300000 | 更新时间 | 2023-09-20 （发布：2023-09-20） |
| 项目地址 | |||
| 项目描述 | 项目位于厦门市海沧区兰英路89号，建筑面积109087.6----米，用地面积28789.7----米， 本项目是在厦门士兰集科现有芯片生产线及配套设施的基础上，通过购置光刻机、外延炉、注入机、快速热退火炉等生产设备进行产能扩充，新增年产30万片IGBT功率器件芯片的生产能力， 采用IGBT工艺技术，主要产品类别为：IGBT功率器件芯片，达产后预计实现年不含税销售收入187,440万元。 | ||
项目主要材料设备 | 暂无材料信息 | ||
| 项目工期及阶段 | 截止目前2023年9月20日，该项目处于立项阶段，预计2023年1季度开工 | ||
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