SiC功率器件生产线建设项目(厦门士兰明镓化合物半导体有限公司) 大型
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项目概况
工程地区 | 福建省-厦门市-海沧区 | 项目类型 | 其他公共建筑 |
| 项目阶段 | 立项 | 建设性质 | 改扩建 |
| 甲方类型 | -- | 外资类型 | -- |
| 层高 | -- | 建设周期 | 2022年3季度 - 2025年2季度 |
| 投资金额（万元） | 150000 | 更新时间 | 2023-11-15 （发布：2023-11-14） |
| 项目地址 | |||
| 项目描述 | 项目位于福建省厦门市海沧区兰英路99号，建筑面积65985.98----米，用地面积45680.817----米， 本项目在厦门士兰明镓现有芯片生产线厂房内及配套设施的基础上，引进具有国际先进水平的光刻机、刻蚀机、高温氧化炉等设备以及配套SiC厂房装修和动力设备扩容等，形成年产14.4万片SiC功率器件芯片的生产能力；主要产品类别为：SiC MOS ,SiC SBD芯片， 采用SiC深槽刻蚀、高温氧化/退火/注入、多层栅介质工艺、SiC金属欧姆接触形成等工艺技术，以及SiC MOSFET工艺集成制造技术等，达产后预计实现年不含税销售收入209,742万元 | ||
项目主要材料设备 | 暂无材料信息 | ||
| 项目工期及阶段 | 截止目前2023年11月14日，该项目处于立项阶段，预计2022年3季度开工 | ||
项目动态
甲方联系人
业主