8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目(厦门士兰集宏半导体有限公司) 大型
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项目概况
工程地区 | 福建省-厦门市-海沧区 | 项目类型 | 其他公共建筑 |
| 项目阶段 | 立项 | 建设性质 | 新建 |
| 甲方类型 | -- | 外资类型 | -- |
| 层高 | -- | 建设周期 | 2024年3季度 - 2025年4季度 |
| 投资金额（万元） | 700000 | 更新时间 | 2024-05-21 （发布：2024-05-21） |
| 项目地址 | |||
| 项目描述 | 项目位于H2024G03-G, 建筑面积234577----米, 用地面积136300----米, 本项目总投资70亿元，计划建设一幢8英寸SiC功率器件芯片生产线厂房及配套生产和生活设施，建筑工程包括SiC功率器件芯片生产线厂房（含生产辅助区）、FA厂房、动力站、甲/乙/丙类化学品库、废水站、资源回收站等生产及配套设施，以及员工宿舍、综合服务中心等生活配套设施。主要产品为：第Ⅲ代SiC功率器件芯片, 本项目产品为第Ⅲ代技术的SiC功率器件芯片，导通电阻为10.5毫欧（1,200V产品），主要有平面栅和沟槽栅两种结构，平面栅结构的SiC芯片工艺稳定，各种性能指标已经达到国际先进水平，市场需求迫切, 2029年达产后形成年产42.0万片(3.5万片/月)8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。 | ||
项目主要材料设备 | 暂无材料信息 | ||
| 项目工期及阶段 | 截止目前2024年5月21日，该项目处于立项阶段，预计2024年3季度开工 | ||
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业主