第三代氮化镓功率半导体生产建设项目(江门市冠鼎半导体有限公司) 大型
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项目概况
工程地区 | 广东省-江门市-新会区 | 项目类型 | 其他公共建筑 |
| 项目阶段 | 立项 | 建设性质 | 新建 |
| 甲方类型 | -- | 外资类型 | -- |
| 层高 | -- | 建设周期 | 2023年4季度 - 2024年2季度 |
| 投资金额（万元） | 10550 | 更新时间 | 2023-10-23 （发布：2023-10-21） |
| 项目地址 | |||
| 项目描述 | 项目总占地约2630----米，建筑面积约2630----米，将原物料氮化镓芯片利用固晶机透过银胶将其与引线框架进行结合，利用焊线机将金线和在适当位置后利用排片机将引线框架依序排列后利用模压机进行封合、产品裁切、表面进行激光印字，年产量15KK。 | ||
项目主要材料设备 | 暂无材料信息 | ||
| 项目工期及阶段 | 截止目前2023年10月21日，该项目处于立项阶段，预计2023年4季度开工 | ||
项目动态
甲方联系人
业主
单位：江门市冠鼎半导体有限公司