原厂扩产项目(第二期)(广东天域半导体股份有限公司) 大型
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项目概况
工程地区 | 广东省-东莞市 | 项目类型 | 其他公共建筑 |
| 项目阶段 | 立项 | 建设性质 | 新建 |
| 甲方类型 | -- | 外资类型 | -- |
| 层高 | -- | 建设周期 | 2024年2季度 - 2027年2季度 |
| 投资金额（万元） | 32493.7 | 更新时间 | 2024-05-31 （发布：2024-05-31） |
| 项目地址 | |||
| 项目描述 | 总规划用地面积3,086----米，建筑面积16,464----米，用于生产30万片/年的SiC外延晶片使用，产能分期建设。本期为第二期，本期使用建筑面积5488----米，建设年产能约10万片的6英寸SiC外延晶片生产线，并完成动力系统等配套设施安装。 | ||
项目主要材料设备 | 暂无材料信息 | ||
| 项目工期及阶段 | 截止目前2024年5月31日，该项目处于立项阶段，预计2024年2季度开工 | ||
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