氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设(西安电子科技大学广州研究院)
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项目概况
工程地区 | 广东省-广州市-黄埔区 | 项目类型 | 市政公用设施 |
| 项目阶段 | 立项 | 建设性质 | 新建 |
| 甲方类型 | -- | 外资类型 | -- |
| 层高 | -- | 建设周期 | 2024年2季度 - 2024年4季度 |
| 投资金额（万元） | 5000 | 更新时间 | 2024-06-25 （发布：2024-06-25） |
| 项目地址 | |||
| 项目描述 | 平台建设规模:两千----米主要内容:氮化镓和碳化硅半导体器件和模块的封装技术平台建设产品名称:氮化镓和碳化硅半导体器件和模块的封装技术设计生产能力:平台专注于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的大功率模块封装技术，主要解决功率模块的封装结构、封装互连材料、模块寄生和散热管理四大技术难题。实验室每年最高可进行超过2000次的封装工艺测试和验证。主要设备选型及技术标准:GaN MOSFET和SiC MOSFET | ||
项目主要材料设备 | 暂无材料信息 | ||
| 项目工期及阶段 | 截止目前2024年6月25日，该项目处于立项阶段，预计2024年2季度开工 | ||
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