GaN自支撑衬底项目(一期项目)(珠海方唯成半导体材料有限责任公司)
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工程地区 | 广东省-珠海市-香洲区 | 项目类型 | 其他公共建筑 |
| 项目阶段 | 立项 | 建设性质 | 新建 |
| 甲方类型 | -- | 外资类型 | -- |
| 层高 | -- | 建设周期 | 2023年4季度 - 2025年4季度 |
| 投资金额（万元） | 5000 | 更新时间 | 2023-05-08 （发布：2023-05-06） |
| 项目地址 | |||
| 项目描述 | 该项目建设GaN自支撑衬底项目(一期工程），生产半导体材料衬底，开发和研究电子专用材料，采用HVPE、高温衍射设备、氮气保护气氛热处理设备等设备来完成。最终达到年产6000毛片的衬底 | ||
项目主要材料设备 | 暂无材料信息 | ||
| 项目工期及阶段 | 截止目前2023年5月6日，该项目处于立项阶段，预计2023年4季度开工 | ||
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