工程地区 | 江西省-上饶市-万年县 | 项目类型 | 其他公共建筑 |
项目阶段 | 立项 | 建设性质 | 新建 |
甲方类型 | -- | 外资类型 | -- |
层高 | -- | 建设周期 | 2024年1季度 - 2024年4季度 |
投资金额(万元) | 1000 | 更新时间 | 2024-01-22 (发布:2024-01-20) |
项目地址 | |||
项目描述 | 项目内容包括:(1)完善半导体芯片余器件工艺平台。对现有净化间进行改扩建,建设功能齐全满足太赫兹量子级联激光器工艺要求的生产环境。(2)完善分子束外延(MBE)材料生长系统。采用MBE技术生长半导体异质结构材料,质量控制在原子级精度。(3)扩大对超纯水设备进行扩容,以满足半导体芯片制造工艺所需纯水要求。项目建成后年耗电量不超过500万度,年耗能不超过1000吨标煤。 | ||
项目主要材料设备 | 暂无材料信息 | ||
项目工期及阶段 | 截止目前2024年1月20日,该项目处于立项阶段,预计2024年1季度开工 |