长庚金晶半导体级高纯硅项目(长庚金晶(朔州)有限公司) 大型

本项目占地面积225亩，建筑面积为----。项目建设内容为每条生产线1台45000kVA高纯硅矿热炉及其公辅设施，共4条生产线，年产高纯硅10万吨。 主要建设内容：主要包括矿热炉主厂房、原料棚、变电所、固废库、氧气站、空压制氮间、电气室及工艺楼、修包间、备品备件库、电极库、危废暂存间、机修间、微硅粉库、循环水泵站、消防泵站、110kV开关站、分析基站小屋、氨区、综合办公楼、食堂、宿舍、门卫室等建筑子项。 主要设备安装内容:矿热炉、天车、硅石水洗系统、木片切削机、胶带机、颚式破碎机、循环水泵、蒸发空冷器、冷却塔、供水泵、负压布袋除尘器、变频电机、气力输送机、轴流风机、开关柜、各仪表等设备。

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