射频器件研产基地三期项目(武汉衍熙微器件有限公司) 大型

项目概况

工程地区

湖北省-武汉市-江夏区项目类型其他公共建筑
项目阶段立项建设性质改扩建
甲方类型--外资类型--
层高--建设周期 --
投资金额(万元)20000

更新时间

2023-03-08 (发布:2023-03-08)
项目地址
项目描述
在现有租赁厂房建设1747----米车间,购置安装清洗机、测试设备、蚀刻设备、薄膜设备等设备35台,建设射频器件生产线,项目建成后每月新增2000片晶片生产产能。

项目主要材料设备

暂无材料信息
项目工期及阶段
截止目前2023年3月8日,该项目处于立项阶段,预计2023年3季度开工

项目动态

甲方联系人