工程地区 | 湖北省-武汉市-江夏区 | 项目类型 | 其他公共建筑 |
项目阶段 | 设计 | 建设性质 | 新建 |
甲方类型 | -- | 外资类型 | -- |
层高 | -- | 建设周期 | 2019年4季度 - 2022年3季度 |
投资金额(万元) | 21850 | 更新时间 | 2019-09-04 (发布:2019-09-04) |
项目地址 | |||
项目描述 | 本项目内容为建设大功率光纤激光器及关键器件研发基地(二期)——中高功率半导体激光器产业化及研发与应用工程中心项目,总建筑面积约54335.51平米;地上塔楼为22层,其中裙楼为5层,建筑面积为----,地下室两层,建筑面积为13322.02 ㎡。 | ||
项目主要材料设备 | 暂无材料信息 | ||
项目工期及阶段 | 截止目前2019年9月4日,该项目处于设计阶段,预计2019年4季度开工 |