柯城光电(半导体)科技产业创新孵化基地项目(二期)(衢州市振东产业园运营管理有限公司) 大型
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项目概况
工程地区 | 浙江省-衢州市-常山县 | 项目类型 | 其他公共建筑 |
| 项目阶段 | 设计 | 建设性质 | 新建 |
| 甲方类型 | -- | 外资类型 | -- |
| 层高 | -- | 建设周期 | 2025年1季度 - 2026年4季度 |
| 投资金额（万元） | 193633 | 更新时间 | 2024-11-05 （发布：2024-11-05） |
| 项目地址 | |||
| 项目描述 | 本项目内容为柯城光电（半导体）科技产业创新孵化基地项目（二期），建设规模：项目总用地面积约116215----米，总建筑面积约298115.66----米，其中地上建筑面积约289063.26----米，地下建筑面积约9052.4----米（其中预留地下储能空间3750----米，地下停车库5302.4----米），配套建设园区道路、绿化、供配电、给排水、燃气、消防设施及等附属设施，工程概算77453万元，其中建安工程造价67147.4700万元。 | ||
项目主要材料设备 | 暂无材料信息 | ||
| 项目工期及阶段 | 截止目前2024年11月5日，该项目处于设计阶段，预计2025年1季度开工 | ||
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业主