高品质砷化镓晶片项目(湖北鑫耀半导体有限公司) 大型

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项目概况

工程地区

湖北省-黄冈市项目类型--
项目阶段立项建设性质新建
甲方类型--外资类型--
层高1层(地上1层)建设周期 --
投资金额(万元)27230

更新时间

2025-11-21 (发布:2025-11-21)
项目地址
项目描述
拟新建14674平米厂房(生产厂房(丙类)12384平米、原辅料库(戊类)460平米、研发中心1050平米、大宗气站(氢气、氧气、氮气)480平米、化学品库(甲类)300 平米,单层建筑,层高6.0米)。

项目主要材料设备

暂无材料信息
项目工期及阶段
截止目前2025年11月21日,该项目处于立项阶段

项目动态

甲方联系人