高压SiC MOSFET工艺平台建设项目(西安卫光科技有限公司)
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项目概况
工程地区 | 陕西省-西安市-雁塔区 | 项目类型 | 市政公用设施 |
| 项目阶段 | 立项 | 建设性质 | 改扩建 |
| 甲方类型 | -- | 外资类型 | -- |
| 层高 | -- | 建设周期 | -- |
| 投资金额（万元） | 9200 | 更新时间 | 2023-11-30 （发布：2023-11-30） |
| 项目地址 | |||
| 项目描述 | 项目拟购置设备8台／套， 包含中束流高温离子注入机、 高温氧化炉、 高温退火炉等设备， 用于SiC芯片生产。 拟升级改造设备3台／套， 包Conceptone、 LAM9600等设备， 用于SiC产品自动精确对位和顺利传输需要。 拟开发重点工艺16项， 包含热氧生长、 PETEOS掩膜淀积等， 用于SiC芯片研制。建成后月产量可达500片。 | ||
项目主要材料设备 | 暂无材料信息 | ||
| 项目工期及阶段 | 截止目前2023年11月30日，该项目处于立项阶段，预计2023年4季度开工 | ||
项目动态
甲方联系人
业主
单位：西安卫光科技有限公司