工程地区 | 陕西省-西安市-未央区 | 项目类型 | 其他公共建筑 |
项目阶段 | 立项 | 建设性质 | 改扩建 |
甲方类型 | -- | 外资类型 | -- |
层高 | -- | 建设周期 | -- |
投资金额(万元) | 3000 | 更新时间 | 2023-07-11 (发布:2023-07-11) |
项目地址 | |||
项目描述 | 购置CP测试、高温反偏老化系统、显微镜及测试仪器32台(套),开展高性能功率半导体器件(超结MOS、IGBT、碳化硅等功率器件)系列产品工艺技术创新的研发工作,攻克产品国产化替代工艺技术难题;完成产品可靠性考核及相关测试。项目完成后可形成年产高性能功率半导体器件(超结MOS、IGBT、碳化硅等功率器件)年度总产量3500万只的生产能力。 | ||
项目主要材料设备 | 暂无材料信息 | ||
项目工期及阶段 | 截止目前2023年7月11日,该项目处于立项阶段,预计2023年3季度开工 |