光电子芯片研发生产综合设施一期建设项目(成都鸿辰光子半导体科技有限公司) 大型

项目概况

工程地区

四川省-成都市-双流区项目类型工业-石油天然气
工业-机械、仪器、电子
办公楼-企业自建、自用办公楼
项目阶段竣工验收建设性质新建
甲方类型私营企业外资类型非外商投资
层高--建设周期2026年3季度 - 2028年3季度
投资金额(万元)100000

更新时间

2026-06-29 (发布:2026-06-29)
项目地址
项目描述
该项目总建筑面积----,建设内容按主次顺序依次为:生产厂房、研发办公楼、综合动力站、氢气站。

项目主要材料设备

炉类:裂解炉、气化炉、转化炉、加热炉、其他炉类 塔类:冷却塔、板式塔、填料塔、转盘塔、混合结构塔、空塔、其他塔类 反应设备类:反应器、反应炉、反应釜
项目工期及阶段
截止(2026年8月14日),该项目处于竣工验收阶段

项目动态

甲方联系人 2

业主
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姓名
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职位总经理
备注分管工程建设