所属行业 | 工业/电子 | 项目代码 | 2306-420750-04-02-493404 |
申报时间 | -- | 立项类型 | 备案 |
所属地区 | 湖北省-鄂州市 | 建设地点 | 注册后免费查看 > |
项目总投资(万) | 18000 | 资金来源 | -- |
建设性质 | 技改及其他 | 建设年限 | -- |
计划开工时间 | 2023-07 | 计划竣工时间 | -- |
主要建设规模/内容 | 项目建设周期2年,涉及化合物半导体材料高纯磷化铟多晶/单晶衬底和磷化铟大尺寸单晶片工艺技术研发、装备研发和产业化技术研发,建设配套辅助工程、储运工程及公用工程。 |
业主单位 | 注册后免费查看 > | 业主性质 | 武汉拓材科技有限公司 |
业主法人 | -- | 项目联系人 | -- |
业主地址 | 鄂州葛店开发区光谷联合城 D2-3 栋 | 联系电话 | -- |
相关办理结果 |
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